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少子壽命的定義和重要性?12?少子壽命?是指?光生電子和空穴從一開始在?半導(dǎo)體中產(chǎn)生直到消失的時(shí)間。它是半導(dǎo)體材料和器件的一個(gè)重要參數(shù)，直接影響器件的性能。少子壽命越長(zhǎng)，器件的性能越好。影響少子壽命的因素影響少子壽命的因素主要包括有害的雜質(zhì)和缺陷。去除這些雜質(zhì)和缺陷可以延長(zhǎng)少子壽命，而加入能夠產(chǎn)生復(fù)合中心的雜質(zhì)或缺陷則會(huì)縮短少子壽命。例如，摻入?Au、?Pt或采用高能粒子束轟擊等都會(huì)減少少子壽命。少子壽命的測(cè)試方法和應(yīng)用少子壽命的測(cè)試采用了?準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)（?QSSPC）等方法...

??霍爾遷移率（Hallmobility）是指?Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率?σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，故特別稱為霍爾遷移率。?表示為μH=│RH│σ。?12霍爾遷移率μH實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ，因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率，所以只有在簡(jiǎn)單情況（不考慮速度分布）下才有μH=μ。霍爾遷移率是測(cè)試射頻氮化鎵芯片使用?！疤蓟璧碾娮舆w移率是900，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50，體遷移率是1000”看到這樣的介紹，或許你非常疑惑，為什么同一...

方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無(wú)關(guān)，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測(cè)量又稱為膜層電阻。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形測(cè)量值都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān)，表征膜層致密性，同時(shí)表征對(duì)熱紅外光譜的透過(guò)能力，方塊電阻...

渦流法電阻率是一種非接觸式的測(cè)量方法，主要用于測(cè)量材料的電阻率而不會(huì)損傷被測(cè)物體的表面。?這種方法基于電磁感應(yīng)原理，通過(guò)檢測(cè)材料中的渦流來(lái)評(píng)估其電阻率。渦流法電阻率測(cè)量技術(shù)的原理是：當(dāng)交變電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，會(huì)在其周圍產(chǎn)生一個(gè)交變磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)會(huì)在導(dǎo)體表面產(chǎn)生渦流。這些渦流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反作用磁場(chǎng)，通過(guò)探測(cè)這個(gè)反作用磁場(chǎng)，可以計(jì)算出材料的電阻率。這種方法具有無(wú)接觸、精度高、成本低、檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于惡劣環(huán)境下的測(cè)量?。渦流法電阻率測(cè)量技術(shù)的應(yīng)用非常廣泛，包括半導(dǎo)體、化合物半...