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非接觸式霍爾遷移率

更新時(shí)間:2024-10-17      瀏覽次數(shù):569

??霍爾遷移(Hall mobility)是指?Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率?σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱,故特別稱為霍爾遷移率。? 表示為μH =│RH│σ。?12

霍爾遷移率μH實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ,因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率,所以只有在簡(jiǎn)單情況(不考慮速度分布)下才有μH = μ。

霍爾遷移率是測(cè)試射頻氮化鎵芯片使用。“碳化硅的電子遷移率是900,碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50,體遷移率是1000" 看到這樣的介紹,或許你非常疑惑,為什么同一種材料中有這么多的遷移率?我們?cè)诼?tīng)講座或者看相關(guān)文獻(xiàn)的時(shí)候,也經(jīng)常會(huì)遇到不同的遷移率:霍爾遷移率,漂移遷移率,溝道遷移率,體遷移率等等。這里,就讓我來(lái)為大家具體分析一下這些不同的遷移率。大體上來(lái)說(shuō),遷移率的概念可以分為三種:1. 最基礎(chǔ)的遷移率定義(microscopic mobility); 2. 體材料里的遷移率(根據(jù)不同的測(cè)試方法得出不同的遷移率名稱); 3. 晶體管中的遷移率。

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