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金屬膜電阻器是膜式電阻器(Film Resistors)中的一種。它是采用高溫真空鍍膜技術將鎳鉻或類似的合金緊密附在瓷棒表面形成皮膜，經過切割調試阻值，以達到最終要求的精密阻值，然后加適當接頭切割，并...

半導體材料根據時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質材料，其特點為開關便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導體，主要用于發光及通訊材料。第三代半導體主要包括碳化硅、氮化鎵...

碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規格?12。碳化硅在不...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

在半導體制造領域，晶圓的厚度測量是至關重要的一環，它直接關系到產品的質量和性能。為了滿足高精度測量的需求，我們研發了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設備，專門用于晶圓厚度的精確測量

金剛石膜檢測與測試報告 檢測項目 金剛石膜的檢測項目主要包括以下幾個方面：膜厚度、晶體結構、表面粗糙度、附著力、熱穩定性及耐磨性等。

硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學測量技術，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計算硅片厚度，而干涉法則是利用光的干涉現象來測量厚...

非接觸式半絕緣方阻測量技術可以廣泛應用于各種領域,比如材料表面導電性測試、薄膜導電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優點。

半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間，是描述半絕緣材料導電性能的關鍵參數。這種材料在電子工業中應用廣泛，特別是在制造半導體器件、絕緣層和光電材料等方面。非接觸半絕緣電阻率可測試該產...

玻璃領域 半導體玻璃的電阻率及某些物理化學性質在光、電、熱等作用下可發生顯著改變，從而賦予其的性能。半導體玻璃已廣泛應用于光電倍增器、存儲器件、電子開關等領域。