硅片方阻電阻率

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

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產(chǎn)品詳情

專(zhuān)注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn) ，攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，

一、

晶圓電阻率測(cè)試儀

硅片方阻測(cè)試儀

渦流法低電阻率分析儀

晶錠電阻率分析儀

非接觸少子壽命

參數(shù)	方阻	電阻率（厚度180um）		方法
探頭量程	1-600Ω/¨	0.018-10.8 Ω?cm		渦流法
探頭性能	動(dòng)態(tài)重復(fù)性		靜態(tài)重復(fù)性	示值誤差
	1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω?cm） < 0.2%		<0.01%	±1%
	80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω?cm） < 0.3%
	120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω?cm） < 0.5%
	300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω?cm）< 1%
外形尺寸	上探頭Ф20*145mm		下探頭Ф20*50mm
信號(hào)采集	采樣率：1500Sps
	采樣個(gè)數(shù)：512點(diǎn)/單次
	采樣緩存：8級(jí)數(shù)據(jù)記錄緩存
	數(shù)據(jù)傳輸：RS232 RS485CANTCP/IP
	傳輸協(xié)議：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用戶(hù)自定義協(xié)議等
供電電源	24V/1A

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