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微波法霍爾遷移率

在霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

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  • 更新時間:2025-02-18
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?霍爾遷移(Hall mobility)是指霍爾系數(shù)RH與電導(dǎo)σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱,因此特別稱為霍爾遷移率,表示為μH =│RH│σ?。?12

定義和計算方法

霍爾遷移率是霍爾系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積。在簡單情況下,霍爾遷移率μH等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ,但在考慮速度分布的情況下,兩者可能不相等。只有在不考慮速度分布的情況下,霍爾遷移率才等于電導(dǎo)遷移率。

應(yīng)用領(lǐng)域

霍爾遷移率在電子材料中是一個重要指標,特別是在GaN基HEMT結(jié)構(gòu)材料中。高電子遷移率可以提升器件的工作速度和效率,減少膝點電壓,從而使器件在較高頻率下工作,具有更高的效率。

霍爾效應(yīng)傳感器中,自由電子的移動能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

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