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碳化硅半絕緣片電阻率測試

更新時間:2025-04-12      瀏覽次數:484

半絕緣碳化硅與導電性碳化硅在電特性和應用領域上差異顯著。半絕緣碳化硅,作為一種電阻率較高的材料,其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm,非常適用于高溫、高電壓環境,如電力電子設備和電動汽車部件。而導電性碳化硅,電阻率低,位于10^-3-10^-2Ω.cm之間,更適合低壓、高電流場景,如功率半導體和射頻電子器件。此外,由于成分和制備工藝的差異,導電性碳化硅的成本相對較高,而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此,在選擇材料時,需根據具體應用環境來決定:高溫高壓選半絕緣,低壓高流選導電,以確保最佳性能和成本效益。半絕緣型碳化硅襯底的制備關鍵在于去除晶體中的雜質,特別是淺能級雜質,以實現高電阻率。在高溫條件下,PVT法制備碳化硅襯底時,碳化硅粉料和石墨材料等會釋放出雜質并生長進入晶體,影響晶體的純度和電學性能。企業已將半絕緣型碳化硅襯底的電阻率穩定控制在108Ω·cm以上

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